Mapowanie naprężeń w nanoskali TEM – AutoSTRAIN

Nowe, automatyczne rozwiązanie do mapowania naprężeń do mikroskopii TEM/STEM (posiadające patent) bazujące na wzorcach dyfrakcyjnych precesji nanowiązki działające w połączeniu z urządzeniem DigiSTAR. Precyzja do 0.02% (200kV FEG) z osiągalną rozdzielczością przestrzenną do 2nm (FEG-TEM).

Właściwości:

  • Wysoko rozdzielczość przestrzenna, wysokiej precyzji mapowanie naprężeń w nowoczesnych urządzeniach półprzewodnikowych
  • Pozyskiwanie referencyjnego obrazu STEM
  • Ultraszybka akwizycja skanowania nanowiązką precesji dyfrakcji elektronów
  • Standardowy czas akwizycji: 5-10 minut (150×150)
  • Czas na piksel; 10-40 ms, czas analizy 5-10 min
  • Automatyczne lokalne analizy naprężeń za pomocą własnego algorytmu AppFive
  • Akwizycja z poszczególnych pozycji, profili liniowych, obszarów
  • Osiągalna rozdzielczość przestrzenna <2 nm (FEG TEM)
  • Monitorowanie zaprojektowanych rozkładów odkształceń w nowoczesnych urządzeniach półprzewodnikowych
  • Oczekiwana czułość: <2×10-4
  • Intuicyjne środowisko robocze

W połączeniu z oprogramowaniem TOPSPIN umożliwia jednoczesne mapowanie orientacji/faz/naprężeń/STEM.

Mapa regionów Si z urządzenia pMOS

  • Kierunki x i y wyrównane z kierunkami [220] i [002] w krzemie
  • Zlokalizowane dwukierunkowe naprężenie rozciągające w pobliżu krawędzi styku

Profil naprężeń z warstwy Si/SiGe

  • Naprężenie w kierunku X bliskie zeru, wskazujące na koherencję interfejsu

Więcej informacji znajdą Państwo w nocie aplikacyjnej dostępnej pod poniższym linkiem:

Nota aplikacyjna

×